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《 轉載來源:癮科技 》

2009 年 2月 11 日,香港 –全球快閃記憶體供應商領導品牌SanDisk®(NASDAQ:SNDK)即將大量生產建基於領先業界的多層單元 (Multi-Level Cell,簡稱MLC) 科技的全球首項高效能4-bits-per-cell (X4) 快閃記憶體。該項突破採用43納米制程科技,支援64Gb單顆粒記憶體晶片,以業界最高的記憶體容量滿足日新月異的記憶體應用程式。另外,SanDisk亦已生產嶄新的X4控制器,作為有效管理X4 記憶體複雜性及效能表現的必要工具。 該X4 記憶體晶片及X4控制器晶片,共同結合於多晶片記憶體模組(Memory Multi-Chip Package,簡稱MCP)內,提供全面、 整合及低成本的記憶體方案。

SanDisk記憶體科技及產品發展高級副總裁Khandker Quader表示:「作為快閃記憶體發展的里程碑,X4 記憶體及控制器技術不但為SanDisk 帶來長遠重大的裨益,更為未來NAND 快閃技術的提升扮演重要角色。64Gb X4乃匯聚多項重大發明的成果,顯示SanDisk 在推進高效能、低成本multi-bit 快閃記憶體上的優勢,至為適合佔用大量記憶體的音樂、電影、相片、GPS及電腦遊戲等應用程式。」

X4 快閃記憶體突破發展
SanDisk一直與東芝株式會社合作發展及生產先進的快閃記憶體,今次還共同在43 納米面積上研發64Gb X4快閃記憶體技術。此嶄新的43納米 64Gb X4晶片是世上最高容量及密度的快閃記憶體單顆粒,並於今年投入生產,抄寫速度對比現時多層式晶片技術提升至每秒7.8MB。SanDisk專利的All –Bit-Line (簡稱ABL) 架構及最近面世的三步程式 (three-step programming,簡稱TSP)及順序意式概念(sequential sense concept ,簡稱SSC)乃是X4超卓表現的主要元素。

X4 控制器科技乃是關鍵
SanDisk發展多項先進系統管理的創新應用程式,以解決4-bits-per-cell的繁雜技術所帶來的問題。由SanDisk研發及擁有的X4控制器,利用首個專為儲存系統而設的改錯碼 (error correcting code,簡稱ECC) ,並支援4-bits-per-cell所需的16層分配模式。

SanDisk 未來科技及創新部副總裁Menahem Lasser表示:「生產具超卓表現及低成本的4-bits-per-cell技術最根本的挑戰是在多層式儲存上需要先進系統創新,幸而我們的X4控制器技術配合記憶體管理及單一處理系統能完全符合4-bits-per-cell記憶體的獨特需求,並顯示SanDisk超卓能力把繁雜的記憶體應用程式概念化及投入生產。」

於今日的2009國際固態電路會議 (ISSCC)上,SanDisk及東芝呈交一份技術論文,關於研發了在43納米科技上64Gb 4-bits-per-cell NAND快閃記憶體的突破性技術。此重要的發佈距離SanDisk在2008國際固態電路會議上推出X3 (3-bits-per-cell NAND)技術只有一年,並榮獲該會議2009劉易斯優秀論文獎(Lewis Winner Outstanding Paper Award)。

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